글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 규모는 2025년 46억 6,900만 달러에서 2031년 163억 6,000만 달러로 성장할 것으로 예측되며, 2025년부터 2031년까지 연평균 복합 성장률(CAGR) 23.2%를 기록할 것으로 전망됩니다.
본 보고서에서는 최근 미국의 관세 조치와 전 세계 각국의 대응 정책이 시장 경쟁력, 지역별 경제 성과 및 공급망 구성에 미치는 영향을 종합적으로 평가할 예정이다.
본 보고서는 GaN 전력 소자와 SiC 전력 소자를 연구 대상으로 한다.
현재 시장 규모 측면에서 GaN 전력 소자는 SiC 전력 소자의 약 10분의 1 수준이다.
갈륨 나이트라이드(GaN)는 차세대 전력 반도체 및 고주파 소자를 위한 광대역 갭 소재로 사용됩니다.
SiC(실리콘 카바이드)는 실리콘과 카바이드로 구성된 화합물 반도체입니다. SiC는 실리콘 대비 여러 장점을 제공하며, 여기에는 10배의 항복 전기장 강도, 3배의 밴드갭, 그리고 소자 제작에 필요한 더 넓은 범위의 p형 및 n형 제어 가능성 등이 포함됩니다.
실리콘 카바이드(SiC) 소자는 자동차, 전기차 충전, 산업용 모터/드라이브, 태양광 발전, 에너지 저장 장치, 풍력 발전, 무정전 전원 장치(UPS), 데이터 센터 및 서버, 철도 운송 등 다양한 분야에서 널리 사용됩니다.
자동차 분야에서는 SiC 전력 소자가 주로 자동차 메인 인버터, 온보드 충전기(OBC), DC/DC 컨버터에 사용됩니다. SiC 전력 소자 시장은 ST마이크로일렉트로닉스, 인피니언, 울프스피드, 롬, 온세미, BYD 반도체가 주도하고 있습니다.
SiC 전력 소자는 주로 자동차 메인 인버터, 온보드 충전기 및 DC/DC 컨버터에 사용됩니다. SiC 전력 소자 시장은 STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed, Rohm, Onsemi, BYD Semiconductor가 주도하고 있습니다.
GaN 전력 소자는 최근 몇 년간 급속히 성장했으며, 다수의 기업들이 점차 이 산업에 진입하고 있습니다. GaN 전력 소자는 현재 주로 휴대폰 고속 충전, 어댑터 등 소비자 가전 제품에 사용됩니다. 자동차 분야에서는 GaN 전력 소자의 진입점이 온보드 충전기(OBC)입니다. 현재 GaN 전력 소자 시장은 이노사이언스(Innoscience), 인피니언(GaN Systems), 파워 인테그레이션스(Power Integrations, Inc.), 나비타스 반도체(Navitas Semiconductor), 이피션트 파워 컨버전(Efficient Power Conversion Corporation, EPC), 르네사스 일렉트로닉스(Transphorm) 등이 주도하고 있으며, 이노사이언스가 세계 최대 GaN 전력 소자 제조사이다.
LP Information, Inc. (LPI)의 최신 연구 보고서인 “GaN 및 SiC 전력 반도체 산업 전망”은 과거 판매 실적을 살펴보고 2024년 전 세계 GaN 및 SiC 전력 반도체 총 판매량을 검토하며, 2025년부터 2031년까지 예상되는 GaN 및 SiC 전력 반도체 판매량을 지역 및 시장 부문별로 종합적으로 분석합니다. 이 보고서는 GaN 및 SiC 전력 반도체 매출을 지역, 시장 부문 및 하위 부문별로 세분화하여 전 세계 GaN 및 SiC 전력 반도체 산업에 대한 상세한 분석을 백만 달러 단위로 제공합니다.
이 인사이트 보고서는 글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 환경에 대한 포괄적인 분석을 제공하며, 제품 세분화, 기업 설립, 매출 및 시장 점유율, 최신 개발 동향, M&A 활동과 관련된 주요 트렌드를 강조합니다. 본 보고서는 또한 가속화되는 글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장에서 선도 기업들의 독보적 위치를 이해하기 위해, GaN 및 SiC 전력 반도체 포트폴리오와 역량, 시장 진입 전략, 시장 포지션, 지리적 진출 현황에 초점을 맞춘 글로벌 선도 기업들의 전략을 분석합니다.
본 인사이트 보고서는 GaN 및 SiC 전력 반도체의 글로벌 전망을 형성하는 주요 시장 동향, 추진 요인 및 영향 요인을 평가하고, 유형별, 응용 분야별, 지역별, 시장 규모별로 예측을 세분화하여 새롭게 부상하는 기회 영역을 부각합니다. 수백 건의 상향식 정성적 및 정량적 시장 입력을 기반으로 한 투명한 방법론을 통해, 본 연구 예측은 글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체의 현재 상태와 미래 궤적에 대한 매우 세밀한 관점을 제공합니다.
본 보고서는 제품 유형, 응용 분야, 주요 제조업체 및 주요 지역 및 국가별로 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장의 포괄적인 개요, 시장 점유율 및 성장 기회를 제시합니다.
유형별 세분화:
GaN 전력 소자
SiC 전력 소자
응용 분야별 세분화:
자동차 및 모빌리티
전기차 충전
소비자 가전
산업용 모터/드라이브
태양광, 에너지 저장, 풍력 발전
UPS, 데이터 센터 및 서버
철도 운송
국방 및 항공우주
기타
본 보고서는 또한 지역별로 시장을 구분합니다:
아메리카
미국
캐나다
멕시코
브라질
아시아태평양(APAC)
중국
일본
한국
동남아시아
인도
호주
유럽
독일
프랑스
영국
이탈리아
러시아
중동 및 아프리카
이집트
남아프리카 공화국
이스라엘
터키
GCC 국가들
아래에 소개된 기업들은 주요 전문가들로부터 수집한 정보와 해당 기업의 커버리지, 제품 포트폴리오, 시장 침투력을 분석하여 선정되었습니다.
STMicroelectronics
Infineon (GaN Systems)
Wolfspeed
Rohm
onsemi
Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI)
Qorvo
NXP
Power Integrations, Inc.
Navitas (GeneSiC)
Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Innoscience
BYD Semiconductor
Renesas Electronics (Transphorm)
Microchip (Microsemi)
미쓰비시 전기 (빈코텍)
세미크론 단포스
후지 전기
도시바
보쉬
산안 광전자
리틀퓨즈 (아이엑스아이스)
CETC 55
위엔 반도체
베이직 반도체
세미큐
다이오즈 인코퍼레이티드
산렉스
알파 & 오메가 반도체
유나이티드 노바 테크놀로지
KEC 코퍼레이션
판짓 그룹
넥스페리아
비샤이 인터테크놀로지
주저우 CRRC 타임스 일렉트릭
차이나 리소스 마이크로일렉트로닉스 리미티드
스타파워
양저우 양지에 일렉트로닉 테크놀로지
광동 아코파워 반도체
창저우 갤럭시 센추리 마이크로일렉트로닉스
항저우 실란 마이크로일렉트로닉스
Cissoid
SK 파워테크
인벤트칩 테크놀로지
허베이 시노팩 전자 기술
오리엔탈 반도체
지린 시노-마이크로일렉트로닉스
PN 접합 반도체 (항저우)
본 보고서에서 다루는 주요 질문
글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장의 향후 10년간 전망은 어떠한가?
전 세계 및 지역별로 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇인가?
시장 및 지역별로 가장 빠른 성장을 보일 기술은 무엇인가?
GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 기회는 최종 시장 규모에 따라 어떻게 달라지는가?
GaN 및 SiC 전력 반도체는 유형별, 응용 분야별로 어떻게 구분되는가?

❖본 조사 보고서의 견적의뢰 / 샘플 / 구입 / 질문 폼❖

GaN(갈륨 나이트라이드) 및 SiC(실리콘 카바이드) 전력 반도체는 전력 변환 및 관리에 특화된 반도체 소재로, 최신 전자기기에 필수적인 구성 요소로 자리잡고 있습니다. 이 두 가지 소재는 고온, 고전압, 고주파에서 뛰어난 성능을 발휘하여 전력 밀도를 높이고 에너지 효율성을 개선하는 데 기여합니다. GaN 전력 반도체는 주로 고주파 및 고전압 애플리케이션에 적합하며, 빠른 스위칭 속도와 낮은 전도 손실로 인해 최근 인기를 끌고 있습니다. GaN은 기존 실리콘 기반 반도체에 비해 더 높은 전류 밀도를 제공하며, 작고 경량의 전원 공급 장치 설계를 가능하게 합니다. 또한, GaN 소자는 전력 증폭기, AC-DC 컨버터, DC-DC 변환기 등 다양한 전자 기기에 널리 사용됩니다. SiC 전력 반도체는 주로 고온 및 고전압 환경에서의 안정성과 내구성을 강조합니다. SiC는 실리콘보다 높은 붕괴 전압과 열 전도성을 가지며, 따라서 고온에서 운영할 수 있는 장점이 있습니다. 이로 인해 SiC 소자는 전기차 충전기, 산업용 드라이브, 태양광 인버터 등과 같은 분야에서 광범위하게 사용됩니다. SiC는 또한 높은 효율성 덕분에 전력 낭비를 줄이고 전체 시스템의 진동을 최소화하는 데 기여합니다. GaN과 SiC 전력 반도체는 서로 다른 특성과 장점을 가지며 서로 보완적인 관계에 있습니다. 예를 들어, GaN은 고속 스위칭 응용 분야에서 우수한 성능을 보이지만, SiC는 높은 전압 및 온도 조건에서 더 나은 안정성을 제공합니다. 이러한 특성 덕분에 전력 전자 시스템에서는 GaN과 SiC를 적절히 혼합하여 사용하는 경향이 있으며, 이를 통해 최적의 효율성 및 성능을 달성할 수 있습니다. 이러한 전력 반도체의 발전을 위해선 다양한 관련 기술이 수반됩니다. 예를 들어, 재료 과학과 공정 기술의 발전으로 GaN과 SiC의 상용화가 이루어졌으며, 최신 패키징 기술과 열 관리 기술도 중요한 역할을 하고 있습니다. 또한, 소프트웨어와 알고리즘을 활용한 전력 관리 및 제어 기술이 더욱 발전함에 따라 GaN 및 SiC 전력 반도체의 성능을 극대화할 수 있는 방법이 모색되고 있습니다. 결론적으로, GaN 및 SiC 전력 반도체는 현대 전자 기기의 핵심 기술로 자리잡고 있으며, 앞으로도 에너지 효율성 및 성능을 극대화하기 위한 지속적인 연구와 개발이 필요합니다. 이로 인해 다양한 산업 분야에서 혁신적인 변화가 이루어질 것으로 기대됩니다. |
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- https://www.globalresearch.co.kr/insight/automotive-software-market-imarc-3/
- https://www.globalresearch.kr/report/south-korea-generative-ai-market-imarc25jl325
- https://www.marketreport.co.kr/report/global-ultrasonic-level-meter-mr-gifr54615
- https://www.globalresearch.co.kr/insight/colorants-market-tnv/
- https://www.globalresearch.kr/report/hvdc-converter-station-market-report-imarc25ma0589